Источник: vrtp.ru
Ученые разработали оригинальный метод получения сплава меди и германия. Затем они сконструировали и собрали опытный образец транзистора, в котором в качестве металлического компонента используется медно-германиевый сплав. Заявка на данное изобретение была подана руководителем проекта, аспирантом ТУСУРа Евгением Ерофеевым, в прошлом году. В течение 2011 года ученые испытывали «медно-германиевый» транзистор. Оказалось, что надежность элемента в разы выше, чем при металлизации чистой медью. В будущем году изобретатели планируют создать на основе разработки технологию производства монолитных интегральных схем и обратиться с заявкой на патент в США. После этого будет организован выпуск микросхем на базе научно-производственной фирмы «Микран».