Источник: phys.org
Команде г-на Накано впервые удалось вызвать переключение состояния диоксида ванадия, используя не повышение температуры, а статическое напряжение. Исследователи разработали тип полевого транзистора, в котором напряжение на «затворе» терминала регулирует проводимость канала из диоксида ванадия, включенного между «истоком» и «стоком». В этом двухслойном электрическом устройстве вывод затвора находится не сверху канала, а рядом с ним. Это гарантирует, что вывод затвора не подвергается воздействию света, проходящего через диоксид ванадия. Канал и терминалы покрыты ионной жидкостью, содержащей положительно и отрицательно заряженные молекулы. Когда на систему подается напряжение, молекулы с положительным зарядом накапливаются в слое нанометровой толщины в верхней части канала, и создается очень высокое электрическое поле.
Поле вызывает фазовый переход в слое диоксида ванадия толщиной 50 нм. Материал из диэлектрика становится проводником, и в то же время начинает блокировать инфракрасное излучение. Изменение напряжения на затворе от 1 В до 3 В вызывает такое же изменение проводимости в пленке диоксида ванадия, как увеличение температуры от +30°С до +77°С. И хотя коэффициент пропускания инфракрасного света уменьшается примерно в 2 раза, видимый свет не блокируется. В устройстве практически нет рассеивания мощности, поэтому его энергопотребление очень низкое. В настоящее время исследователи пытаются увеличить контраст в пропускании инфракрасного света между включенным и выключенным положением транзистора. Также планируется продемонстрировать аналогичные показатели для устройств с большей площадью поверхности.